華測(cè)電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)

Huace-DCS10KV

電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品介紹：

Huace-DCS10KV主要用于研究介電儲(chǔ)能材料高電壓放電性能。目前常規(guī)的方法是通過電滯回線計(jì)算高壓下電介質(zhì)的能量密度，測(cè)試時(shí)，樣品的電荷是放回到高壓源上，而不是釋放到負(fù)載上，通過電滯回線測(cè)得的儲(chǔ)能密度一般會(huì)大于樣品實(shí)際釋放的能量密度，無法正確評(píng)估電介質(zhì)材料的正常放電性能。華測(cè)Huace-DCS10KV儲(chǔ)能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)采用專門設(shè)計(jì)的電容放電電路來測(cè)量，測(cè)試電路如下圖所示。在該電路中，首先將介電膜充電到給定電壓，之后通過閉合高速M(fèi)OS高壓開關(guān)，存儲(chǔ)在電容器膜中的能量被放電到電阻器負(fù)載的原理設(shè)計(jì)開發(fā)，更符合電介質(zhì)充放電原理。

主要參數(shù)：

1、電流探頭帶寬：120MHz；

2、峰值電流：0-100A，150 A(多種電流可監(jiān)測(cè)）；

3、電流采集精度：1mA；

4、高壓源模塊：3KV，5KV， 10kV，15KV多可選（電流：0-5mA）；

5、開關(guān)適用：100萬次，耐壓15kV；

6、溫控范圍：0-200℃；

7、溫度穩(wěn)定性和精度：0.1℃；

8、測(cè)試樣品：薄膜，厚膜，陶瓷，玻璃等；

9、可以配合各種極化設(shè)備進(jìn)行多種壓電材料和介電材料的測(cè)試。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì) ：

1、本系統(tǒng)采用特殊高壓開關(guān)，通過單刀雙擲控制充電和放電過程，開關(guān)可以承受10kV高壓，寄生電容小，動(dòng)作時(shí)間短；

2、電壓10kV，電流5mA；

3、可外接高壓放大器或高壓直流電源；

4、通過電流探頭檢測(cè)放電電流，可達(dá)100A；

5、可以實(shí)現(xiàn)欠阻尼和過阻尼兩種測(cè)試模式，欠阻尼測(cè)試時(shí)，放電回路短路，不使用電阻負(fù)載，過阻尼測(cè)試時(shí)，使用較大的高精度無感電阻作為放電負(fù)載；

6、可以作為一個(gè)信號(hào)源，產(chǎn)生任意波形；

7、通過示波器采集數(shù)據(jù)，并能直接計(jì)算儲(chǔ)能密度；

8、定制載樣平臺(tái)，可適用于陶瓷和薄膜樣品測(cè)試；

9、可以進(jìn)行變溫測(cè)試，RT~200℃；

10、可以進(jìn)行疲勞測(cè)試；

11、還可用于極化材料之用。

儲(chǔ)能電介電放電行為:

華測(cè)Huace-DCS10KV儲(chǔ)能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)采用專門設(shè)計(jì)的電容放電電路來測(cè)量。在該電路中，首先將介電膜充電到給定電壓，之后通過閉合高速MOS高壓開關(guān)，存儲(chǔ)在電容器膜中的能量被放電到電阻器負(fù)載。在放電過程中電壓對(duì)樣品的時(shí)間依賴性可以通過檢波器進(jìn)行記錄。介電材料的儲(chǔ)能性能通常取決于放電速度，可通過改變負(fù)載電阻器的電阻來調(diào)節(jié)。通常測(cè)試系統(tǒng)中裝了具有不同電阻的電阻器。在測(cè)試過程中，用戶需要選擇電阻器或幾個(gè)電阻器的組合獲得得所需的電阻，并將電阻器或電阻的組合連接到測(cè)試的電介質(zhì)材料。在該電路中，選擇高壓MOSFET開關(guān)以釋放儲(chǔ)存的能量非常重要。該開關(guān)限制電路的最大放電速度和最大充電電壓。本套測(cè)試系統(tǒng)由放電采集電路、高壓放大器或高壓直流電源和控制計(jì)算機(jī)構(gòu)成。在測(cè)試中，測(cè)試人員需要通過選擇合適的電阻來確定測(cè)量的放電速度，測(cè)試樣品上的電壓可以由計(jì)算機(jī)自動(dòng)獲得。